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SiTime温补晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖动晶振

编号：72949068
频率：512.288kHz
尺寸：1.5x0.8mm

SiTime温补晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖动晶振,ULP输入设备6G晶振,小体积晶振，美国进口晶振，SiTime晶振，型号：SiT1576，编码为：SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q，频率为：512.288kHz，小体积晶振尺寸：1...

SiTime温补晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖动晶振,ULP输入设备6G晶振,小体积晶振，美国进口晶振，SiTime晶振，型号：SiT1576，编码为：SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q，频率为：512.288 kHz，小体积晶振尺寸：1.5x0.8mm，CSP，SMD晶振，TCXO温补晶振，四脚贴片晶振，石英晶振，有源晶振，石英晶体振荡器。特点：1Hz到2.5MHz ±5ppm全包频率稳定性，工厂可编程输出频率，世界上最小的TCXO占地面积：1.2mm2，尺寸1.5 x 0.8mm CSP，不需要外部旁路帽，改进稳定性降低系统功率与更少的网络计时更新，超低功率：6µA（100kHz），石英晶体振荡器电源电压范围： 1.62V到3.63V，工作温度范围：-20°C到+70°C，-40°C到+85°C，无铅，RoHS和达到兼容。应用程序：健康和健康监视器，智能笔，ULP输入设备，专有无线，传感器接口。

SiTime温补晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖动晶振,ULP输入设备6G晶振,小体积晶振，参数表

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Unit	Condition
Frequency and Stability
Output Frequency	FOUT	1		2.5 M	Hz
Total Frequency Stability[1]	F_stab	-5		5	ppm	All inclusive, Stability code: E
Total Frequency Stability[1]	F_stab	-20		20	ppm	All inclusive, Stability code: 1
Allan Deviation	AD		1e-8	4e-8		1 second averaging time
First Year Frequency Aging	F_aging		±1		ppm	TA = 25°C, VDD = 1.8V
Jitter Performance
Integrated Phase Jitter	IPJ		2	3.5	nsRMS	F OUT > 1 kHz, Integration bandwidth = 100 Hz to F OUT /2. Inclusive of 50 mV peak-to-peak sinusoidal noise on VDD. Noise frequency 100 Hz to 20 MHz
Period Jitter	PJ		2.2	4.5	nsRMS	Cycles = 10,000, f = 100 kHz. Per JEDEC standard 65B, tested at 100 kHz. See performance plot for other frequencies.
Peak-to-Peak Period Jitter	PJp-p		20	35	nsp-p
Supply Voltage and Current Consumption
Operating Supply Voltage	VDD	1.62		3.63	V
No Load Supply Current	IDD		3.65	5	µA	F OUT = 1 Hz
			4.5	5.5		F OUT = 33 kHz
			6	7		F OUT = 100 kHz
			13	16		F OUT = 1 MHz
			33	40		FOUT = 2 MHz
Start-up Time at Power-up	t_start		150	300	ms	FOUT > 200 Hz. Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output pulse and within specified min/max frequency limit.
			300 + 2.0 cycles	300 + 2.5 cycles		10 Hz < FOUT ≤ 200 Hz. Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output pulse and within specified min/max frequency limit.
				500 + 2.5 Cycles		1 Hz ≤ FOUT ≤ 10 Hz. Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output pulse and within specified min/max frequency limit.
Operating TemperatureRange
Operating TemperatureRange	Op_Temp	-20		70	°C	“C” ordering code
Operating TemperatureRange	Op_Temp	-40		85	°C	“I” ordering code
LVCMOS Output
Output Rise/Fall Time	tR, tF		9	20	ns	20-80%, 15 pF load, VDD = 1.8V +/- 10%
Output Clock Duty Cycle	DC	45		55	%
Output Voltage High	VOH	90%			VDD	I OH = -50 µA, 15 pF load
Output Voltage Low	VOL			10%	VDD	I OL = 50 µA, 15 pF load

SiTime温补晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖动晶振,ULP输入设备6G晶振,小体积晶振，尺寸图

SiTime温补晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖动晶振,ULP输入设备6G晶振,小体积晶振
SiT1576是一款超小、超低功率的工厂可编程TCXO，输出频率范围在1 Hz到2.5 MHz之间。SiTime的硅MEMS技术使世界上最小的足迹和芯片规模封装（CSP）的第一个1Hz-2.5MHz TCXO。典型的供电电流只有6µA（100 kHz)。
SiTime晶振的MEMS振荡器由一个MEMS谐振器和一个可编程模拟电路组成。SiT1576 MEMS谐振器是建立与SiTime的独特的MEMS第一®工艺。一个关键的制造步骤是EpiSeal®，在此期间MEMS谐振器在温度超过1000°C。EpiSeal创建了一个非常强大的，清洁的，真空室，封装了MEMS谐振腔，并确保了最好的性能和可靠性。在EpiSeal期间，一个聚硅盖生长在谐振腔的顶部，这消除了额外的盖晶片或其他外来包装的需要。因此，SiTime的MEMS谐振器模可以像任何其他半导体模一样使用。SiTime的MEMS First和EpiSeal制造过程的一个独特结果是，能够将SiTime的MEMS模具与SOC、ASIC、微处理器或模拟模具集成在一个封装中，以消除外部定时组件，并为客户提供高度集成、更小、更便宜的解决方案。

SiTime温补晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖动晶振,ULP输入设备6G晶振,小体积晶振
TCXO温补振荡器频率稳定性：SiT1576在多个温度点上进行了工厂校准（修剪），以保证在温度上具有极紧密的稳定性。石英晶体具有经典的音叉抛物线温度曲线，25°C周转点，0.04~0.06ppm/°C2温度系数，SiT1576温度系数通过主动温度校正电路进行温度校正。结果是，在-40°C到+85°C温度范围内，具有极紧密的频率变化。
当使用频率计数器测量SiT1576的输出频率时，必须确保计数器的门极时间为>100 ms。更短的栅极时间可能导致不准确的测量类似地，在1 Hz将需要增加频率到500 Hz的频率范围。

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