爱普生低抖动性能的SPXO贴片有源晶振X1G005601004300
来源:http://www.konuaer.net 作者:kiee 2022年09月02
爱普生低抖动性能的SPXO贴片有源晶振X1G005601004300,随着晶振在电子产品应用越来越广泛,便成了所有电子必备的元器件之一,虽然我们知道了晶振,可能对于有源晶振知之甚少,有源晶振的构成又是如何的呢,在哪个电子产品会经常用到有源晶振,有源晶振作用有多大,它又何魅力可言,太多的问题值得我们可去了解了。有源晶振内部构造包含了无源晶振,所以,一般来说,有源晶振是比无源晶振是要贵的。另外一方面,我们只要了解了无源晶振的特性,有源晶振也就差不多了,毕竟,有源晶振可以看成是无源晶振做成的一个具体电路,供上电,就能输出振荡信号了。
石英晶体振荡器是本身带电压的石英晶振,一般分类有很多种,日常的分类有普通有源晶振、压控晶振、温补晶振、压控温补晶振、恒温晶振、差分晶振等系列有源晶振,如果分类更加明细的话, 那么石英晶体振荡器的种类有哪些呢?
爱普生低抖动性能的SPXO贴片有源晶振X1G005601004300,1.按精度分类 石英晶体振荡器按精度(或频率稳定度)可分为普通石英晶体振荡器,精密石英晶体振荡器、中精密石英晶体振荡器和高精密石英晶体振荡器。
2.按封装结构及外形分类 石英晶体振荡器按封装结构及外形可分为金属外壳晶体振荡器、玻璃外壳晶体振荡器、胶木壳晶体振荡器和塑料外壳晶体振荡器。金属外壳封装的石英晶体振荡器又有锡焊、冷压焊和电阻焊三种。
3.按引出电极数目分类 石英晶体振荡器按引出电极数目可分为双电极(二端)型晶体振荡器、三电极(三端)型晶体振荡器和四电极(四端)型晶体振荡器。
4.按用途分类 石英晶体振荡器、有源晶振按用途可分为彩色电视机用晶体振荡器、影碟机用晶体振荡器、无线通信用晶体振荡器、电子钟表用晶体振荡器等多种类型。
爱普生推出的SG-8018CG晶振,SPXO贴片有源晶振,编码X1G005601004300,频率26.000000兆赫,输出WaveCMOS,供电电压1.62至3.63 V,尺寸(长×宽×高)2.50 × 2.00 × 0.80毫米,工作温度-40到+105°C,频率公差±50ppm,额外的OptionsN /,OSC TypeProgrammable Clock时钟OSC,这是一款很适合用于航空电子领域的晶振。
石英晶体振荡器是本身带电压的石英晶振,一般分类有很多种,日常的分类有普通有源晶振、压控晶振、温补晶振、压控温补晶振、恒温晶振、差分晶振等系列有源晶振,如果分类更加明细的话, 那么石英晶体振荡器的种类有哪些呢?
Product Number | 爱普生晶振型号 | Frequency | LxWxH | Output Wave | Supply Voltage | Ope Temperature | Freq. Tol. | I [Max] |
X1G005601003500 | SG-8018CG | 14.745600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601003600 | SG-8018CG | 14.745600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601003700 | SG-8018CG | 12.288000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601003800 | SG-8018CG | 12.288000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601003900 | SG-8018CG | 33.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601004000 | SG-8018CG | 33.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601004100 | SG-8018CG | 30.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601004200 | SG-8018CG | 30.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601004300 | SG-8018CG | 26.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601004400 | SG-8018CG | 26.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601004500 | SG-8018CG | 24.576000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601004600 | SG-8018CG | 24.576000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601004700 | SG-8018CG | 100.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.9 mA |
X1G005601004800 | SG-8018CG | 100.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.9 mA |
X1G005601004900 | SG-8018CG | 4.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601005000 | SG-8018CG | 4.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601005100 | SG-8018CG | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
X1G005601005200 | SG-8018CG | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
2.按封装结构及外形分类 石英晶体振荡器按封装结构及外形可分为金属外壳晶体振荡器、玻璃外壳晶体振荡器、胶木壳晶体振荡器和塑料外壳晶体振荡器。金属外壳封装的石英晶体振荡器又有锡焊、冷压焊和电阻焊三种。
3.按引出电极数目分类 石英晶体振荡器按引出电极数目可分为双电极(二端)型晶体振荡器、三电极(三端)型晶体振荡器和四电极(四端)型晶体振荡器。
4.按用途分类 石英晶体振荡器、有源晶振按用途可分为彩色电视机用晶体振荡器、影碟机用晶体振荡器、无线通信用晶体振荡器、电子钟表用晶体振荡器等多种类型。
Product Number | 爱普生晶振型号 | Frequency | LxWxH | Output Wave | Supply Voltage | Ope Temperature | Freq. Tol. | I [Max] |
X1G005601005300 | SG-8018CG | 19.660800 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601005400 | SG-8018CG | 19.660800 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601005500 | SG-8018CG | 125.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.7 mA |
X1G005601005600 | SG-8018CG | 125.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.7 mA |
X1G005601005700 | SG-8018CG | 33.333300 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601005800 | SG-8018CG | 33.333300 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601005900 | SG-8018CG | 96.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.9 mA |
X1G005601006000 | SG-8018CG | 48.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601006100 | SG-8018CG | 13.516800 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601006200 | SG-8018CG | 64.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
X1G005601006300 | SG-8018CG | 13.107200 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601006400 | SG-8018CG | 12.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601006500 | SG-8018CG | 80.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.9 mA |
X1G005601006600 | SG-8018CG | 16.384000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601006700 | SG-8018CG | 7.372800 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601006800 | SG-8018CG | 11.520000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601006900 | SG-8018CG | 8.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601007000 | SG-8018CG | 13.333000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
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